CMOS超宽光谱传感器的制造工艺挑战与突破

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CMOS传感器制造工艺面临材料均匀性、热应力等挑战。例如，90nm CMOS工艺中，金属钴硅化物的厚度和均一性对结漏电影响显著。通过工艺参数调整和透射电镜表征，优化制造流程，提升传感器性能。此外，硅通孔（TSV）技术实现CIS模块小型化，推动CMOS传感器在医疗内窥镜等狭小空间中的应用。

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